产品简介
锑化镓为半导体材料。分子式为GaSb,闪锌矿型结构,晶格常数0.6094nm,密度5.6137g/cm3,为直接带隙半导体,室温时禁带宽度为0.70eV。
产品技术参数
| 单晶 |
GaSb |
| 掺杂 |
None |
None high R |
Zn |
Te |
Te high R |
| 导电类型 |
P |
P- |
P+ |
N |
N |
| 载流子浓度cm-3 |
1~2×1017 |
1~5×1016 |
1~5×1018 |
2~6×1017 |
1~5×1016 |
| 位错密度cm-2 |
＜103 |
| 生长方法 |
LEC |
| 最大尺寸 |
Φ3″ |
| 标准基片 |
Φ3″×0.5， Φ2″×0.5 |
| 表面处理 |
研磨，单抛，双抛 |
Si Wafer/SOI Wafer/SiO2 Wafer
