产品简介
北京嘉安恒科技有限公司代理销售SOI绝缘硅片。SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。
顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。借助精密仪器,键合技术以及外延设备,顶层硅最薄可达20纳米,最厚可至几十微米或更多。一个更厚的顶层硅对光通讯及MEMS器件尤其重要。
公司现有超薄顶层硅SOI片,顶层硅厚度有200nm,300nm,340nm等,欢迎前来垂询!
产品规格说明
外形尺寸
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4"、5"、6"、8"
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工艺
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Smart cut; Bonding; SIMOX
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类型
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N/P
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电阻率
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可定制
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顶层单晶厚度
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0.20~100µm
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埋氧层厚度
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0.4~4µm
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基底层厚度
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100~500µm
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TTV
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< 3µm
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Paritlce
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<10@0.3µm
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SOI圆片主要有以下特点:
1.提高运行速度
在特定的电压下,建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%,这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。
2.降低能量损耗
SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗,特别适用于对能量消耗比较高的领域。
3.改进运行性能
SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温,对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。
4.减小封装尺寸
SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。