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锑化镓晶片

产品编号:201372172710

产品产地:

产品描述:锑化镓晶片, GaSb Wafer

产品介绍

产品简介    
         锑化镓为半导体材料。分子式为GaSb,闪锌矿型结构,晶格常数0.6094nm,密度5.6137g/cm3,为直接带隙半导体,室温时禁带宽度为0.70eV。

产品技术参数

单晶 GaSb
掺杂 None None high R Zn Te Te high R
导电类型 P P- P+ N N
载流子浓度cm-3 1~2×1017 1~5×1016 1~5×1018 2~6×1017 1~5×1016
位错密度cm-2 <103
生长方法 LEC
最大尺寸 Φ3″
标准基片 Φ3″×0.5, Φ2″×0.5
表面处理 研磨,单抛,双抛

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