本公司生产销售2寸、3寸、4寸、6寸砷化镓单晶衬底，产品规格可定制。
晶片规格有N型（掺硅Si）、P型（掺锌Zn）和非掺杂。
产品简介
砷化镓（gallium arsenide），化学式GaAs，属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，由砷和镓两种元素化合而成，外观呈亮灰色，具金属光泽、性脆而硬，是当代国际公认的继"硅（Silicon）"之后最成熟的化合物半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性，是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。
在光电子工业领域应用层面，砷化镓单晶可被用于制作LD（激光器）、LED（发光二极管）、光电集成电路（OEIC）、光伏器件等；
在微电子工业领域应用层面，可被用于制作MESFET（金属半导体场效应管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）、HBT（异质结双极晶体管）、IC、微波二极管、Hall器件等。
主要涉及高端军事电子应用、光纤通信系统、宽带卫星无线通信系统、测试仪器、汽车电子、激光、照明等领域。作为重要的半导体材料，GaAs的电子迁移率为硅和氮化镓的5倍，用于中小功率微波器件具有更低的功率损耗，因此在手机通讯、局域无线网、GPS和汽车雷达等领域中占主导地位。
产品规格说明
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晶体材料
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Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown, 高纯单晶
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晶向
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(1 0 0) / (1 1 1)
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掺杂
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Undoped
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Zn
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Si / Te
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直径
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50~150mm ± 0.25mm（2"、 3"、 4"、6"）
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厚度
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350 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um
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晶向
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（ 100 ）or（111） α 0 ±β 0, off angle α and accuracy β upon request
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电阻率
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(1-30)x10 7 Ω.cm
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(1-10)x10 -3 Ω.cm
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迁移率
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1500~3000 3000~5000 cm2 / V·sec
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N / A
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掺杂浓度
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N / A
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(0.1-3.0)×10 18 /cm3
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腐蚀缺陷密度
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≤ 5·103 cm-2
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≤ 7·10 4cm-2
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≤ 5·102 cm-2
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主定位边
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(0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm
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次定位边
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(0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm
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正面
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Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生长级抛光
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反面
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Polished / Lapping or Etched, 抛光 / 研磨或腐蚀
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Epi-ready
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Yes
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硅片/SOI硅片/氧化硅片
