产品简介
碳化硅晶片主要用于肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、双极结型晶体管、晶闸管、可关断晶闸管和绝缘栅双极型晶体管的制作。
技术参数
| 外形尺寸 |
2", 3", 4" , 10 X 10mm, 10 X 5mm |
| 厚度 |
330µm， 430µm, 或定制 |
| 晶向 |
生长轴或 偏 (0001) 3.5° |
| 表面处理 |
单抛， 双抛 |
| 抛光等级 |
Ra < 1纳米 |
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六方 |
| 晶格常数 |
a =3.08 Å c = 15.08 Å |
| 排列次序 |
ABCACB (6H)， ABCA（4H） |
| 生长方法 |
MOCVD |
| 抛光 |
Si面抛光 |
| 带隙 |
2.93 eV (间接) |
| 导电类型 |
N |
| 电阻率 |
0.076 ohm·cm |
| 介电常数 |
e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 |
| 热导率@300K |
5 W / cm . K |
| 硬度 |
9.2 Mohs |
硅片/SOI硅片/氧化硅片
