薄膜名称

基片及尺寸

复合薄膜结构

薄膜织构指标

薄膜性能指标

薄膜应用范围

氧化锌(ZnO)压电薄膜

单晶硅、蓝宝石(C面、R面)、石英、单晶及多晶金刚石、YAG、GGG等

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形状和尺寸。

ZnO/Au/Cr、

ZnO/Pt/Cr、

ZnO/Au/Ti、

ZnO/Pt/Ti

ZnO薄膜X射线衍射(XRD)摇摆曲线(C面)半峰宽(FWHM)≦6°,偏离度m﹤1°。

FWHM)≦3°,偏离度m﹤1°(ZnO/蓝宝石C面或R面)。

ZnO薄膜厚度范围：(0.15-5)μm；

ZnO薄膜体电阻率：ρ_v≥10⁶Ω.cm;

声体波(BAW)性能：

相速度：Vp=(6080-6300)m/s；

BAW机电耦合系数：K_t=(0.18-0.22)。

声表面波(SAW) 性能：

相速度：Vp=(2800-4100)m/s；

SAW机电耦合系数：K_s²=(1%-3%)。

相速度：Vp=(5000-6100)m/s；(ZnO/R面蓝宝石)

SAW机电耦合系数：K_s²=(3%-6%)。(ZnO/R面蓝宝石)。

相速度：Vp=(8000-11000)m/s；(ZnO/单晶及多晶金刚石)

SAW机电耦合系数：K_s²=(3%-6%)。(ZnO/单晶及多晶金刚石)

声体波微波延迟线(BAWDL)(1.5GHz-8GHz)；

声体波高次谐波谐振器(HBAR)及其振荡器(Q值10000-100000)；

声光偏转器(1.5-5)GHz；

高精度声光移频器(1.5-5)GHz；

声表面波(SAW)滤波器及延迟线(可集成化)；SAW移相器(可集成化)；湿度传感器等。

氮化铝(AlN)压电薄膜

单晶硅、蓝宝石(C面、R面)、石英、单晶及多晶金刚石、YAG、GGG等。

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形状和尺寸。

AlN/Au/Cr、

AlN/Pt/Cr、

AlN/Au/Ti、

AlN/Pt/Ti、

AlN/Mo

AlN薄膜X射线衍射(XRD)摇摆曲线(C面)半峰宽(FWHM)≦6°,偏离度m﹤1°。

FWHM)≦2.5°,偏离度m﹤1°(AlN /C面蓝宝石)。

FWHM)≦2°,偏离度m﹤1°(AlN /Mo/Si)。

AlN薄膜厚度范围：(0.2-3)μm；

AlN薄膜体电阻率ρ_v：≥10⁹Ω.cm;

声体波(BAW)性能：

相速度：Vp=(9000-11300)m/s；

BAW机电耦合系数：K_t=(0.16-0.20)。

声表面波(SAW) 性能：

相速度：Vp=(4000-5500)m/s；

SAW机电耦合系数K_s²=(1%-3%)。

相速度：Vp=(5500-6500)m/s；(AlN/C面蓝宝石)

SAW机电耦合系数K_s²=(0.5%-2%)。(AlN/C面蓝宝石)。

相速度：Vp=(9000-12000)m/s；(AlN/单晶及多晶金刚石)

SAW机电耦合系数：K_s²=(1.5%-4.5%)。(AlN /单晶及多晶金刚石)。

薄膜声体波谐振器(FBAR)及其滤波器(1.5 GHz-10GHz)、双工器、多工器及集成化RF前端；

声体波微波延迟线(BAWDL) (3GHz-30GHz)；

声体波高次谐波谐振器(HBAR)及其振荡器(Q值10000-100000)；

声光偏转器(2-5)GHz；

高精度声光移频器(1.5-5)GHz；

声表面波(SAW)滤波器及延迟线(可集成化)；等。

二氧化硅(SiO₂)温度系数补偿薄膜

铌酸锂单晶、钽酸锂单晶、单晶硅、蓝宝石(C面、R面)、石英、单晶及多晶金刚石、YAG、GGG等。

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形状和尺寸。

SiO₂/Al、

SiO₂/Au/Ti

SiO₂/Au/Cr

薄膜厚度范围：

(0.1-3)μm。

SiO₂/Al/LiNbO₃、

SiO₂/Au/Ti/LiNbO₃、

SiO₂/Au/Cr/LiNbO₃复合压电材料温度系数TCF补偿至(20-35)ppm/℃。

SiO₂/Al/LiTaO₃、

SiO₂/Au/Ti/LiTaO₃、

SiO₂/Au/Cr/LiTaO₃复合压电材料温度系数TCF补偿至(0-10)ppm/℃。 

各种声表面波(SAW)滤波器；

各种晶体滤波器；

薄膜声体波谐振器(FBAR)及其滤波器(1.5 GHz-10GHz)、双工器、多工器及集成化RF前端；

声体波高次谐波谐振器(HBAR)及其振荡器(Q值10000-100000)；

等。

氮化硅(Si₃N₄)、氧化钽(Ta₂0₅)薄膜

铌酸锂单晶、钽酸锂单晶、单晶硅、蓝宝石(C面、R面)、石英、单晶及多晶金刚石、YAG、GGG等。

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形状和尺寸。

薄膜厚度范围：(0.01-3)μm。

各种电子元器件芯片保护膜。

铜(Cu)、钼(Mo)、硅(Si)、钨(W)、铝(Al)、金(Au)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍铬合金(NiCr)、钽(Ta)

各种基片材料。

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形状和尺寸。

薄膜厚度范围：(0.05-5)μm。

各种电子元器件芯片等。