产品简介
性状：沥青光泽的深灰色晶体， 闪锌矿结构。
熔点：1070℃。常温下带宽（Eg=1.35 eV）。熔点下离解压为2.75MPa。
溶解性：极微溶于无机酸。
介电常数：10.8
电子迁移率：4600cm2/(V·s)
空穴迁移率：150cm2/(V·s)
制备：具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。
产品技术参数
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InP |
备注 |
| 外形尺寸 |
2" , 3", 4" |
客户要求 |
| 厚度 |
Dia2" X 500µm(单抛或双抛) |
| Dia3" X 500µm(单抛) |
| Dia4" X 635µm（单抛） |
| 晶向 |
<100> |
客户要求 |
| 掺杂 |
None；Sn；S；Fe：Zn |
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| 硬度 |
3.0莫氏硬度 |
| 密度 |
4.78 g/cm3 |
| 导电类型 |
N；N；N；Si；P |
| 折射率 |
3.45 |
| 载流子浓度cm-3 |
1-2x1016 ，1-3x1018 |
| 1-4x1018 ，6-4x1018 |
| 位错密度cm-2 |
<5x104 |
| 生长方法 |
LEC |
| 温度 |
1072℃ |
| 弹性模量 |
7.1E11dyn Cm-2
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Si Wafer/SOI Wafer/SiO2 Wafer
